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X射线三维显微镜(微米CT)
主要功能:真正实现二维和三维内部微结构的无损显微成像
主要技术指标:三维扫描成像体素分辨率(voxel size)≤300 nm,空间分辨率≤700 nm,直径25 mm样品三维成像的体素分辨率≤1μm;样品重量和直径分别可达25kg、30cm。可进行拉伸/压缩、冷热环境条件的原位状态高分辨显微成像。
主要学科领域:材料科学
服务内容:三维内部微结构的损显微成像,原位成像分析
用户须知:空间分辨率500nm,体素分辨率40nm
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超快激光五轴制孔设备
主要功能:该设备主要用于航空发动机叶片、卫星燃油过滤片、卫星光栅薄片、 汽车喷油嘴锥孔、心脏骨架等航空航天、医疗器械及微机电器件等领域的制孔、刻蚀、切割等加工。
主要技术指标:激光器型号:立陶宛L17771 激光器功率:20W 机床行程:900mm×450mm× 300mm,±90o/n×360o 定位精度:0.01mm;30″ 加工精度:±5µm
主要学科领域:机械工程
服务内容:为各类金属、非金属及复合材料提供高精度微结构加工,如通孔、异型孔、盲孔、微腔、型腔、异型槽等复杂形貌结构切割、蚀刻、制孔
用户须知:无
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FIB-SEM双束扫描电镜
主要功能:Crossbeam 550配备Gemini II • 配备双聚光镜系统可在低电压下试用大束流获得高分辨图像。通过高分辨图像获取和快速分析可在更少的时间获得更多信息。同时试用Inlens SE 和 EsB探测器同时获取形貌和成分图像 Tandem decel 模式现可用于蔡司Crossbeam 550,可用于两种不同的应用模式: Tandem decel 是一种两步式电子束减速模式,将“电子束推进器;技术与高负偏压技术相结合:通过对样品施加一个高的负偏压使入射电子减速,从而有效降低着陆能量。通过在50V和100V之间施加可变的负偏压来增强衬度, 通过施加1kV至5kV的反向负偏压来实现低电压分辨率的提高 FIB加工的新方法 蔡司Crossbeam系列新一代聚焦离子束镜筒,可以在极低的电压下实现高速率、大束流的样品处理,并保持样品质量 , 利用Ion-sculptor FIB镜筒的低电压特性尽可能提高样品质量 ; 尽可能减少样品的非晶化,以在减薄后保持良好的结果 ; 良好的稳定性帮助您获得精确、可重复的实验结果; 探针电流的快速切换极大地加速您的应用; 高达100nA的束流帮助您实现高效实验; 可实现低于3nm的优异分辨率 ; Crossbeam系列具有FIB束流自动恢复系统,从而满足长周期实验的需要。
主要技术指标:扫描电子束系统:Gemini II镜筒 样品仓尺寸和接口:1、可选Tandem decel;2、标准样品仓有18个扩展接口或者加大样品仓有22个扩展接口 样品台:X/Y方向行程:标准样品仓100mm加大样品仓153 mm 荷电控制:1、荷电中和电子枪;2、局域电荷中和器 探测器:Inlens SE 和 Inlens EsB可同时获取SE和ESB成像 特点:高效的分析和成像,在各种条件下保持高分辨特性,同时获取Inlens SE和Inlens ESB图像;大尺寸预真空室可传输8英寸晶元;
主要学科领域:生物学
服务内容:Crossbeam 550配备Gemini II ; 配备双聚光镜系统可在低电压下试用大束流获得高分辨图像。 通过高分辨图像获取和快速分析可在更少的时间获得更多信息。同时试用Inlens SE 和 EsB探测器同时获取形貌和成分图像 Tandem decel 模式现可用于蔡司Crossbeam 550,可用于两种不同的应用模式: Tandem decel 是一种两步式电子束减速模式,将电子束推进器技术与高负偏压技术相结合:通过对样品施加一个高的负偏压使入射电子减速,从而有效降低着陆能量。通过在50V和100V之间施加可变的负偏压来增强衬度; 通过施加1kV至5kV的反向负偏压来实现低电压分辨率的提高 FIB加工的新方法 蔡司Crossbeam系列新一代聚焦离子束镜筒,可以在极低的电压下实现高速率、大束流的样品处理,并保持样品质量; 利用Ion-sculptor FIB镜筒的低电压特性尽可能提高样品质量; 尽可能减少样品的非晶化,以在减薄后保持良好的结果 ; 良好的稳定性帮助您获得精确、可重复的实验结果; 探针电流的快速切换极大地加速您的应用; 高达100nA的束流帮助您实现高效实验; 可实现低于3nm的优异分辨率; Crossbeam系列具有FIB束流自动恢复系统,从而满足长周期实验的需要。
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连续切片场发射扫描电子显微镜
主要功能:切面成像是放置在扫描电镜样品仓里的超薄切片机. 块状样品则放置在正对电镜镜筒下方的样品台上。在上表面被扫描成像之后,样品会上升很小的一段距离(最小可达15 nm)。此时超薄切片机进刀,削掉样品顶端的薄薄一层,之后退刀,新的表面再次被成像。以这种方式,样品反复不断地被切削,成像,而得到数以千计的切面图片,从而进行完整的三维重构。 可以带给你优异的低电压成像效果,以及灵活的探测手段。 现在你可以给你的GeminiSEM升级局部电荷补偿器,消除荷电效应的影响。超高的系统稳定性,即使长时间运行也完全不需要人工干预。大成像视野快速成像。
主要技术指标:基本规格:Zeiss GeminiSEM 300 + Ganta 3view 分辨率:0.8nm @15 kV;1.4nm @1kV 高端肖特基热场发射扫描电子显微镜,无交叉电子束镜筒设计,具有超高分辨的成像能力和优秀的低电压性能,稳定性优于0.2%/h 加速电压:0.02-30kV(无需减速模式实现) 探针电流:3pA-100nA 存储分辨率:最高达32k×24k像素 放大倍:12–2,000,000× 样品仓尺寸:330mm(D),270mm(H) 标配探测器:镜筒内Inlens二次电子探测器;样品室内的Everhart Thornley二次电子探测器 低真空范围: 10-500Pa (GeminiSEM300 VP可用) 样品室: 330 mm(φ),270 mm(h) 样品台:5轴优中心全自动 X=130mm Y=130mm Z=50 mm T=-3o-70o R=360o 连续 系统控制:基于Windows 7的SmartSEM操作系统,可选鼠标、键盘、控制面板控制 OnPoint™ 背散射探测器可在低 kV 条件下实现高速成像,且不会降低图像质量 FCC:局部电荷补偿器,在保持图像质量的前提下减少样品荷电效应。
主要学科领域:生物学
服务内容:切面成像 是放置在扫描电镜样品仓里的超薄切片机. 块状样品则放置在正对电镜镜筒下方的样品台上。在上表面被扫描成像之后,样品会上升很小的一段距离(最小可达15 nm)。此时超薄切片机进刀,削掉样品顶端的薄薄一层,之后退刀,新的表面再次被成像。以这种方式,样品反复不断地被切削,成像,而得到数以千计的切面图片,从而进行完整的三维重构。 GeminiSEM 可以带给你优异的低电压成像效果,以及灵活的探测手段。 现在你可以给你的GeminiSEM升级局部电荷补偿器,消除荷电效应的影响。超高的系统稳定性,即使长时间运行也完全不需要人工干预。大成像视野 快速成像。
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汽车空调系统综合性能试验台
主要功能:汽车空调零部件及总成焓差检测
主要技术指标:能力范围:系统1750~14000W 冷凝器2600~21000W 暖风1750~14000W
主要学科领域:机械工程
服务内容:汽车空调零部件及总成焓差检测
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复合材料基因组制备系统
主要功能:雷 诺 真 空 的 多 源 高 通 量 复 合 材 料 基 因 组 制 备 系 统MS-HTMGS-L400 是用于高通量材料基因芯片制备的专用高效镀膜装置。该系 统采用全新的高真空、多腔体模块化设计思路,将原位储靶换靶和原位热处理集成在一起,并采用配备了辅助离子源沉积的 RF 射频离子源离子束溅射系统,电子束蒸发系统和激光溅射镀膜系统等多种镀膜源。可同时满足金属、非金属等不同材料的镀膜,实现了高均一性、高致密度、高纯度、高分辨率的材料基因芯片制备。
主要技术指标:极限真空:储靶腔 ≤5×10-7 torr;,靶材传送腔 ≤5×10-6 torr; 激光辅助离子束工艺腔,≤1×10-7 torr,电子束蒸发工艺腔 ≤5×10-6 torr, 基片传送腔 1 ≤5×10-6 torr 样品 1 英寸范围内,Al 膜厚 200nm 时,≤ 3%。膜厚均匀性的 9 点测量法:为消除人工操作、测量时间和环境变化引起的奇异点,每个样片测 9 点,剔除 1 个最大值和 1 个最小值,取 7 点值,单点测 试值定义为 A,每片样品满足 WIW%=100((MaxA-MinA)/ (2(average) ≤3%。
主要学科领域:化学工程
服务内容:半导体膜材料的制备和表征
用户须知:用户必须熟练掌握操作流程,预期前先用管理人联系。
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量化成像流式细胞分析系统
主要功能:20x, 40x, 60x magnification, EDF
主要技术指标:1.4 光学系统:高亮度白光半导体光源(工作寿命>5年)
主要学科领域:生物学、基础医学、免疫学
服务内容:20x, 40x, 60x magnification, EDF
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96道数字拖缆与采集系统
主要功能:海洋地震信号采集96道,道间距12.5m,408XL采集系统
主要技术指标:96道,道间距12.5m,408XL采集系统
主要学科领域:环境科学技术及资源科学技术
服务内容:海洋地震信号采集96道,道间距12.5m,408XL采集系统
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