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飞秒脉冲激光器

主要功能：飞秒脉冲激光器具有线宽窄频谱宽的特性,通过1040nm主激光结合光学参量过程，可实现从紫外到中红外激光输出。在时间分辨光谱学中有直接应用。用飞秒脉冲可检测物理、化学和生物等的超快过程。
主要技术指标：波长:1040±5mm功率:>30W*单脉冲能量:>120uJ@200kHz 脉冲宽度:<400fs 重复频率:200kHz(集成A0M,可以 single shot至1MHz调节) 功率稳定性:<1%rms(超过100小时测试) 光斑模式:TEM00, M2<1.2 光斑直径:2.5m+0.5mm
主要学科领域：非线性光学
服务内容：飞秒脉冲激光器是目前国际范围内开发的脉冲激光器中线宽最窄的激光,由子其具有输出线宽窄,从而脉冲能量高、光谱范围宽,在高新激光技术,精密光谱测量等研究中具有重要应用。
用户须知：

已测试 73 次平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意

慢走丝数控精密线切割机

主要功能：主要用于切割精密模具
主要技术指标：X, Y, Z行程350 x 250 x 250mm
主要学科领域：机械工程
服务内容：主要用于技术开发与服务
用户须知：

已测试 13 次平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意

冷冻超薄切片机

主要功能：冷冻切片模式：标准模式，高气流模式，槽液切片模式。常温切片模式。
主要技术指标：放大倍数：M80，9.6-77×；S6E，10-64× （这个是根据配的立体显微镜决定的），带有共心式移动。刀架：360°旋转，分隔±30° 刀的角度可调：-2°至15°（刻度1°），可支持刀宽度6－12mm 样品可做360°旋转，优中心运动±22独立控制的照明系统工作温度范围：-15°C至 -185°C
主要学科领域：基础医学,生物学,临床医学,农学
服务内容：
用户须知：

已测试 37 次平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意

激光直写仪

主要功能：用于MEMS, BioMEMS, Micro Optics, ASICs, Micro Fluidics, Sensors, CGHs和其他微观研究领域。
主要技术指标：刻写最大面积 200 x 200 mm2 ，焦距离达到 0.6 µm ，•最小分辨距离50 nm。
主要学科领域：物理学
服务内容：刻写微纳光学器件，用于MEMS, BioMEMS, Micro Optics, ASICs, Micro Fluidics, Sensors, CGHs和其他微观研究领域。
用户须知：

已测试 46 次平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意

狭小空间特种喷涂实验系统

主要功能：狭小空间功能涂层喷涂。
主要技术指标：焰流速度：800-1100m/s；最小喷涂内径：200mm；机械手持重：20kg。
主要学科领域：机械工程,材料科学,水利工程
服务内容：用于涂层制备试验研究。
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已测试 4 次平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意

脉冲涡流检测系统

主要功能：实现对带保温管道的在线检测，无需打开保温层即可实现对管道本体内外腐蚀的检测，借助后期计算机和软件的处理，以C扫描的形式显示出结果，用不同的色阶表示腐蚀的程度。主要优点表现为：快速检测；穿透能力更强；复杂工件检测；更高的缺陷检测能力等。
主要技术指标：具有实时二维C扫描显示.存储空间大于或等于100GB.防尘防水等级IP65或以上。使用湿度：空气湿度至少95%无凝结环境。输出接口：HDMI或VGA，具有三个或以上独立的USB数据输出接口，具有一键复制功能方便现场操作。
主要学科领域：水利工程
服务内容：带保温管道的在线检测，无需打开保温层即可实现对管道本体内外腐蚀的检测
用户须知：

已测试 31 次平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意

超高矫顽力永磁测量仪

主要功能：主要用于测量具有高矫顽力的永磁材料的退磁曲线，分析永磁材料的磁性能及相关温度稳定性。
主要技术指标：测量准确性：Br:±1%，Hcj:±1%，(BH)max:±2%；测量重复性：Br:±0.2%，Hcj:±0.2%，(BH)max:±0.5%
主要学科领域：材料科学
服务内容：剩磁、内禀矫顽力及最大磁能积,剩磁(Br)、磁感矫顽力(Hcb)、内禀矫顽力(Hcj)及最大磁能积((BH)max)
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已测试 6 次平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意

刻蚀设备ICP-RIE（有机）

感应耦合等离子体反应离子刻蚀设备ICP-RIE（有机）
主要功能：该设备通过在反应腔室外的电磁线圈上加射频电源，急剧变化的感应电场和感应磁场相互耦合，使得初始电子获得能量轰击中性粒子，产生稳定的等离子体。等离子体在射频偏压电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面进行物理轰击同时化学反应产生挥发性气体，从而达到刻蚀的目的。该设备主要用于硅、聚合物和光刻胶、硅基介质材料如：氧化硅、氮化硅的刻蚀，控制刻蚀的形貌（同向性或异向性），并保持整个样品的均匀性，在衬底上形成的图案结构微纳米结构
主要技术指标：1) 硅衬底刻蚀（光刻胶掩模）： a) 刻蚀速率不低于 1 um/min; b) 硅:光刻胶选择性（Selectivity），不低于 2:1 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 89 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，150mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ; 2) SiO2刻蚀（光刻胶掩模）： a) 刻蚀速率不低于 0.2 um/min; b) SiO2：光刻胶选择性（Selectivity），不低于 2:1 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 89 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，150mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ; 3) Si3N4刻蚀（光刻胶掩模）： a) 刻蚀速率不低于 0.2 um/min; b) Si3N4：光刻胶选择性（Selectivity），不低于 2:1 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 89 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，150mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ;
主要学科领域：工程与技术科学基础学科
服务内容：主要用于石英，氧化硅、硅等硅基材料，GaN、GaAs、InP和其他化合物半导体，金属膜、石墨烯等二维材料，以及PMMA等有机材料的刻蚀，形成微纳米结构。
用户须知：

已测试 10 次平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意

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